无线电电子学论文_脉冲γ射线诱发N型金属氧化

文章摘要:金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元，其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素。为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制，通过TCAD构建了40nm、90nm以及180nm三种不同工艺节点的NMOS晶体管进行了瞬时电离辐射效应仿真，得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件及其对NMOS晶体管工作状态的影响。结果表明1)脉冲γ射线在辐射瞬时诱发NMOS晶体管内部阱电势抬升是导致纵向寄生三极管开启的主要原因；2)当纵向寄生三极管导通时，NMOS晶体管内部会产生强烈的二次光电流影响晶体管的工作状态；3)NMOS晶体管内部纵向寄生三极管的电流增益随工艺节点的减小而减小。研究结果可为电子器件的瞬时电离辐射效应机理研究提供理论依据。

文章关键词:

论文分类号:TN386.1

文章来源：《中国辐射卫生》 网址: http://www.zgfswszz.cn/qikandaodu/2021/1117/1122.html