自动化技术论文_辐射导致CMOS图像传感器暗电

文章目录

1 Experimental detail

1.1 Device information

1.2 Irradiation experiment

1.3 DC-RTS test

2 Result and discussion

2.1 DDD-RTS characteristic

2.2 TID-RTS characteristic

2.3 DC-RTS defect concentration

3 Conclusion

文章摘要:针对空间和核工业应用中辐射引起CMOS图像传感器产生暗电流随机电报信号(DC-RTS)问题,对0.18μm CMOS图像传感器进行不同能量质子、γ射线的辐照试验,辐照后对DC-RTS特征参数进行分析。试验结果表明:由于位移损伤和电离总剂量效应产生的RTS缺陷不同,两种DC-RTS在台阶、最大跳变幅度、平均时间等参数存在差异。相比于位移损伤产生的DC-RTS,电离总剂量产生的DC-RTS具有跳变幅度小、平均时间长的波动特点,导致此类DC-RTS难以检测分析。像素积分期间传输栅电压会对电离总剂量诱发的DC-RTS产生影响。上述工作为深入认识CMOS图像传感器DC-RTS现象、探索相关抑制技术提供重要参考。

文章关键词:CMOS图像传感器,位移损伤效应,电离总剂量效应,暗电流随机电报信号,

项目基金:Supported by West Light Foundation of Chinese Academy of Sciences(2020-XBQNXZ-004),

作者单位:2. 中国科学院新疆理化技术研究所 3. 新疆电子信息材料与器件重点实验室 4. 中国科学院大学 

论文分类号: TP212

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文章来源：《中国辐射卫生》 网址: http://www.zgfswszz.cn/qikandaodu/2021/0916/1009.html